[实用新型]一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置无效
| 申请号： | 201120016798.0 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN201942784U | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王增荣;李斌;郝俊涛;王飞;黄少华;赖汝萍;黄鲁生;钟贵琪;林增标;林海萍;黄云增;黄斌;林德彰;杨峰;王县 | 申请（专利权）人： | 江西神硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 李炳生 |
| 地址： | 337000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，所述外壳的上部设置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。本实用新型通过增设热屏、导流筒、炭毡等合理部件，并对它们的相对位置和规格进行选择，使得热场装置内形成合适的温度梯度，气体在热场装置内分布合理，适于直拉法中20英寸硅单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 直拉法中 20 英寸 硅单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，其特征在于：所述外壳上设置有保温板，该保温板上固接有中空的倒圆台形的热屏，该热屏的上方安装有石墨导热筒。
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