[实用新型]一种功率器件的单桥臂模块

摘要

本实用新型公开了一种功率器件的单桥臂模块，包括双面敷铜陶瓷基板、功率芯片、盖子、第一引线铜基板和第二引线铜基板。双面敷铜陶瓷基板上表面的铜箔以两边及中部的分布方式被分割成三部分；第一引线铜基板敷设在一边铜箔的上表面，第二引线铜基板敷设在另一边铜箔的上表面；功率芯片敷设在第一引线铜基板上，它的漏极固定在第一引线铜基板上，源极通过引线连接在第二引线铜基板上，栅极通过连线连接在中部铜箔上；盖子封装在第一引线铜基板的中部和第二引线铜基板的中部之间，并将功率芯片和中部铜箔覆盖在其内腔中。本实用新型的功率器件的单桥臂模块具有热容量大，有利抗短期大电流的冲击；热阻小，芯片均流性好；体积小，成本低等特点。

主权项

一种功率器件的单桥臂模块，包括双面敷铜陶瓷基板、功率MOSFET或IGBT芯片及盖子，其特征在于，所述模块还包括第一引线铜基板和第二引线铜基板，所述双面敷铜陶瓷基板上表面的铜箔以两边及中部的分布方式被分割成三部分；所述第一引线铜基板敷设在一边铜箔的上表面，所述第二引线铜基板敷设在另一边铜箔的上表面；所述功率MOSFET或IGBT芯片敷设在第一引线铜基板上，并且所述功率MOSFET或IGBT芯片的漏极固定在所述第一引线铜基板上，所述功率MOSFET或IGBT芯片的源极通过引线连接在所述第二引线铜基板上，所述功率MOSFET或IGBT芯片的栅极通过连线连接在所述中部铜箔上；所述盖子封装在所述第一引线铜基板的中部和第二引线铜基板的中部之间，并将所述功率MOSFET或IGBT芯片和所述中部铜箔覆盖在其内腔中。