[实用新型]电容脉冲放电装置、电容投切开关无效
申请号: | 201120026648.8 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN201985519U | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 郭桥石;邓达;赖斌龙 | 申请(专利权)人: | 广州市金矢电子有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02J3/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511450 广东省广州市番禺区石基*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型电容脉冲放电装置,由放电电阻与半导体开关串联组成电容放电回路,控制电路与半导体开关的控制端连接,由控制电路提供脉冲信号控制半导体开关导通,对电容残压进行大电流快速脉冲放电,使电容残压在极短的时间内放电到具备等电位二次投入的条件,采用本实用新型对电容残压放电,可以大大加快放电时间、极大的减小放电电阻能耗和温升、提高电容投切开关的的二次投入速度;本实用新型电容投切开关是在前面所述的电容脉冲放电装置的基础上,连接了可控硅,由本实用新型电容投切开关作为对电力电容的动态投切,具有二次投入快、节能、经济性好、可靠性高的特点。 | ||
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【主权项】:
一种电容脉冲放电装置,其特征在于,包括:半导体开关;放电电阻,与所述半导体开关串联组成电容放电回路;控制电路,连接有供电电源,与所述半导体开关的控制端连接,由控制电路提供脉冲信号控制半导体开关导通,电容残压通过所述放电电阻、所述半导体开关进行大电流快速脉冲放电,使电容残压在极短的时间内放电至具备等电位二次投入的条件。
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