[实用新型]蚀刻设备有效
| 申请号： | 201120027534.5 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN201910407U | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 周峙丞;魏嘉志 | 申请（专利权）人： | 周业投资股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种蚀刻设备，包含一个反应腔座、一个电极单元，以及一个挡板单元。该反应腔座包括一个底壁面、一个顶壁面，以及一个连接于底壁面与顶壁面间的周壁面，该底壁面、顶壁面与周壁面共同界定出一个真空腔室。该电极单元，位于真空腔室内，并包括一个安装于顶壁面的上电极，以及一个安装于底壁面的下电极。该挡板单元，位于真空腔室内，并包括一个邻近且环绕该周壁面的基板层，以及一个由基板层朝远离周壁面方向延伸的熔射涂层。本实用新型通过熔射涂层的披覆，可提升挡板单元的蚀刻抵抗能力，并延长挡板单元的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
一种蚀刻设备，包含：一个界定出一个真空腔室的反应腔座、一个位于该真空腔室内的电极单元，以及一个位于该真空腔室内的挡板单元；该反应腔座包括一个底壁面、一个顶壁面，以及一个连接于底壁面与顶壁面间的周壁面，该底壁面、顶壁面与周壁面共同界定出该真空腔室；该电极单元包括一个安装于顶壁面的上电极，以及一个安装于底壁面的下电极；其特征在于：该挡板单元包括一个邻近且环绕该周壁面的基板层，以及一个结合于基板层上并朝远离该周壁面方向延伸的熔射涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
