[实用新型]一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的设备无效

专利信息
申请号: 201120030873.9 申请日: 2011-01-29
公开(公告)号: CN201981011U 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 谭毅;邹瑞洵;战丽姝 申请(专利权)人: 大连隆田科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 大连星海专利事务所 21208 代理人: 于忠晶
地址: 116025 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 实用新型属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的设备,设备采用真空盖、真空炉壁及装粉盖构成真空设备,真空设备内腔为真空室;真空室内上部装有装粉桶,装粉桶底部带有出料口,出料口装配有外驱式挡粉板,装粉桶出料口底部装有坩埚,坩埚底部装有拉锭机构,拉锭机构上装有硅锭,电子枪安装在真空室上部,电子束流对准硅锭。本实用新型设备结构简单,同时进行电子束熔炼粉体硅料和定向凝固,用电子束快速去除杂质磷,用定向凝固将分凝系数较小的金属杂质去除,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求。本实用新型成本低,适合批量生产。
搜索关键词: 一种 电子束 金属 耦合 提纯 多晶 设备
【主权项】:
一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的的设备,其特征是:设备采用真空盖、真空炉壁及装粉盖构成真空设备,真空设备内腔为真空室;真空室内上部装有装粉桶,装粉桶底部带有出料口,出料口装配有外驱式挡粉板,装粉桶出料口底部装有坩埚,坩埚底部装有拉锭机构,拉锭机构上装有硅锭,电子枪安装在真空室上部,电子束流对准硅锭。
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