[实用新型]通孔互联型圆片级MOSFET封装结构有效
| 申请号： | 201120033891.2 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN201994303U | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L29/417;H01L23/482 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体（1-1），芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体（1-1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2），在芯片源电极（2-1）、芯片栅电极（2-2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有线路层（4），以及在芯片通孔（1-2）内填充有线路层（4），且在芯片通孔（1-2）内填充的线路层（4）没有密闭芯片通孔（1-2），而是留有空腔的半填充结构，在芯片本体（1-1）的背面（1-3）设置与线路层（4）互联的背面金属层（7）。本实用新型可以提供具有高性能和高可靠性的封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔互联型圆片级 mosfet 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体（1 1），其特征在于：所述芯片本体（1 1）正面设置有芯片源电极（2 1）和芯片栅电极（2 2），芯片本体（1 1）、芯片源电极（2 1）和芯片栅电极（2 2）正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体（1 1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1 2），在所述芯片源电极（2 1）、芯片栅电极（2 2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有线路层（4），以及在芯片通孔（1 2）内填充有线路层（4），且在芯片通孔（1 2）内填充的线路层（4）没有密闭芯片通孔（1 2），而是留有空腔的半填充结构，而且线路层（4）直接与芯片通孔（1 2）侧壁相连，之间无任何绝缘隔离层，在线路层（4）表面设置有线路表面保护层（5），在芯片本体（1 1）正面的线路层（4）表面设置有焊球（6），在芯片本体（1 1）的背面（1 3）设置有背面金属层（7），且背面金属层（7）与线路层（4）互联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴长电先进封装有限公司，未经江阴长电先进封装有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120033891.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
