[实用新型]后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构有效
| 申请号： | 201120033895.0 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN201994305U | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈栋;胡正勋;张黎;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L29/417;H01L23/482 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层和芯片表面保护层表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层表面设置有焊球（7）；在芯片本体正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2）；在所述芯片本体背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔的线路层与芯片通孔侧壁直接接触、以及与正面线路层形成互联。本实用新型具有高性能和高可靠性的封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 后通孔互联型圆片级 mosfet 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体（1 1），其特征在于：在所述芯片本体（1 1）正面设置有芯片源电极（2 1）和芯片栅电极（2 2）；在芯片本体（1 1）、芯片源电极（2 1）和芯片栅电极（2 2）正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体（1 1）、芯片源电极（2 1）、芯片栅电极（2 2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层（4）和芯片表面保护层（3）表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层（4）表面设置有焊球（7）；在芯片本体（1 1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1 2）；在芯片本体（1 1）背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔（1 2）内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔（1 2）的线路层（6）与芯片通孔（1 2）侧壁直接接触、以及与正面线路层（4）形成互联。
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