[实用新型]一种制备硅基薄膜太阳电池的装置有效
申请号: | 201120038647.5 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN202178284U | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 雷青松;安会静;薛俊明;李顺军;张金娟 | 申请(专利权)人: | 河北汉盛光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C28/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 053000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于制备硅基薄膜太阳能电池的装置。利用该装置,该装置由7个以上的化学汽相沉积室、1个溅射室、一个中央传输室、一个进出样室、一个加热室、总控制室、抽真空系统、供机电气(汽)系统组成。特点在于7个沉积室中,1个为金属有机化学汽相沉积室,用于制备硅基薄膜太阳能电池的透明导电电极,6个为等离子体辅助化学汽相沉积室,用于制备p,i,n型硅基薄膜。所有的沉积室、加热室、进出样室可以同时工作,各个p,i,n型材料、透明导电薄膜在不同的腔室中制备而成,避免交叉污染。本实用新型可以制备包括非晶硅单结、微晶硅单结、及非晶/微晶硅双结的太阳能电池,大批量、连续化生产,有效提高硅基太阳能电池效率、提高产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 薄膜 太阳电池 装置 | ||
【主权项】:
一种制备硅基薄膜太阳电池的装置,由7个以上的化学汽相沉积室、一个溅射室、一个中央传输室、一个进出样室、一个加热室和控制抽真空系统、供气、供电系统的总控制室组成,其特征在于中央传输室(1)连接的10个室为一矩形真空室,室与室之间设有密闭开闭的闸板阀(21),中间设有轨道(12),轨道(12)上安装有可进行升降、收缩、旋转运动的真空机械手(14),中央传输室(1)前部为进/出样室(2)和加热室(3),8个沉积室分列于中央传输室(1)两边,其中4‑9室是等离子体辅助化学汽相沉积室,室内设有射频,射频功率由高频发生器提供,射频电源的频率为13.56MHz,最大功率为2KW,等离子体辅助化学汽相沉积4‑9室6个腔室可同时放电制备硅基薄膜,中央传输室(1)的后左右侧分别设有制备太阳能电池前电极与背电极透明导电薄膜的金属有机化学汽相沉积室(10)和制备氧化锌掺铝ZnO:Al薄膜的磁控溅射室(11),进/出样室(2)腔室内设有基座(15),基座(15)上有支撑玻璃基板的4排支撑柱(16),腔室对角设置有压缩空气控制的玻璃对齐对准器,加热室(3)腔室中设有玻璃基板加热灯丝,一共采用10根灯丝,每根灯丝功率为1.5KW,灯丝上部设有支撑玻璃基板的金属网格基板,等离子体辅助化学汽相沉积4‑9室其中4室为p室,用于制备p型硅基薄膜,5‑8室为i室,用于制备i型硅基薄膜,9室为n室,用于制备n型硅基薄膜,4‑9室设有上、下极板(18、19),上极板(18)用于射频电源的馈入,下极板(19)用于支撑玻璃基板,可升降,设有基板温度加热器,金属有机化学汽相沉积室(10)中也设有上下两个极板,其中上极板称喷淋式极板(17)用于反应气体的导入,下极板(19)用于支撑玻 璃基板,可升降,并在底部设有基板温度加热器,上下两个极板之间的距离可调节,玻璃基板放在下极板(19)上,在玻璃基板上制备透明导电氧化物薄膜,在装置的一侧设有总控制室(22),总控制室(22)包括连接抽真空、供气、供电系统,抽真空系统由机械泵、罗茨泵、真空管道组成,并通过气动阀门与各个真空室相连接,供气系统包括气源、气体管道、控制气体流量的质量流量计、及各个阀门,供电系统包括工频、高频及装置电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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