[实用新型]正面钝化的RIE制绒晶体硅电池

摘要

本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池，特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层在SiNx层的下方。SiO2层的厚度为5～20nm，所述的SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70～90nm。与单层SiNx薄膜相比，将SiO2/SiNx双层薄膜作为正面钝化层应用于RIE制绒晶体硅电池有以下优点：1.SiO2薄膜能够有效饱和表面悬挂键，降低其与硅片的界面态密度。2.SiNx薄膜内具有很高的正电荷密度，在硅片表面形成内建电场，降低表面的电子或空穴浓度，从而降低载流子复合速率。

主权项

一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，其特征是：在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层(1)在SiNx层(2)的下方。