[实用新型]一种非晶硅太阳能电池无效
| 申请号： | 201120062946.2 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN202009009U | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 戴国清 | 申请（专利权）人： | 莆田市威特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 351111 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种非晶硅太阳能电池，其包括基底层、背电极层以及设在基底层和背电极层之间的非晶硅层，所述非晶硅层包括依次排列的若干非晶硅片，在相邻两非晶硅片之间设有一绝缘线。本实用新型的非晶硅太阳能电池通过在相邻两非晶硅片之间设置绝缘线，从而能有效避免相邻两非晶硅片短路，从而使该非晶硅太阳能电池的质量好，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种非晶硅太阳能电池，其特征在于：包括基底层、背电极层以及设在基底层和背电极层之间的非晶硅层，所述非晶硅层包括依次排列的若干非晶硅片，在相邻两非晶硅片之间设有一绝缘线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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