[实用新型]硅单晶生长炉无效
| 申请号： | 201120066991.5 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN201981289U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡光进;韩喆;李国迪;蒋明霞 | 申请（专利权）人： | 浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325200*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅单晶生长炉，包括炉筒、保温桶和设在保温桶内的石墨加热器，其特征在于：所述石墨加热器的底部与炉底之间设有热反射板。本实用新型的结构能够降低拉晶过程中的加热功率，节约能源。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 | ||
【主权项】：
硅单晶生长炉，包括炉筒、保温桶和设在保温桶内的石墨加热器，其特征在于：所述石墨加热器的底部与炉底之间设有热反射板。
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