[实用新型]适用于存储器的反熔丝存储单元

摘要

本实用新型涉及一种适用于存储器的反熔丝存储单元，所述存储单元包括：第一反熔丝单元，第二反熔丝单元，编程控制的第一高压NMOS管和第二高压NMOS管，反熔丝保护的第三PMOS管和第四PMOS管，两个反向器和第五NMOS管、第六NMOS管构成的比较输出级。第一高压NMOS管和第二高压NMOS管采用互补信号编程；第三PMOS管和第四PMOS管对工作中的未编程反熔丝进行电压保护；由第五NMOS管、第六NMOS管构成双稳态比较电路比较输出。本实用新型的优点是：电路采用互补信号编程，双稳态比较电路输出，设有反熔丝保护管结构；采用该设计的存储单元可以实现高可靠性，高寿命的一次编程存储器。

主权项

适用于存储器的反熔丝存储单元，其特征是：包括第一反熔丝单元（FUSE1），第二反熔丝单元（FUSE2），编程控制的第一高压NMOS管（M1）和第二高压NMOS管（M2），第三PMOS管（M3），第四PMOS管（M4），第五NMOS管（M5），第六NMOS管（M6）；所述第一反熔丝单元（FUSE1）一端接高电平（VCC），另一端接第三PMOS管（M3）的源极和第一高压NMOS管（M1）的漏极，第二反熔丝单元（FUSE2）一端接高电平（VCC），另一端接第四PMOS管（M4）的源极和第二高压NMOS管（M2）的漏极，第一高压NMOS管（M1）栅极接第一编程数据输入端口（P1），第二高压NMOS管（M2）栅极接第二编程数据输入端口（P2），第三PMOS管（M3）栅极和第四PMOS管（M4）栅极相连并连接读取控制端（C），第三PMOS管（M3）漏极连接第五NMOS管（M5）漏极，第四PMOS管（M4）漏极连接第六NMOS管（M6）漏极，第六NMOS管（M6）栅极通过第一反向器（T1）连接第一数据输出端口（O1），第五NMOS管（M5）栅极通过第二反向器（T2）连接第二数据输出端口（O2）；第一高压NMOS管（M1）源极，第二高压NMOS管（M2）源极，第五NMOS管（M5）源极，第六NMOS管（M6）源极接地（GND）；所述第一编程数据输入端口（P1）和第二编程数据输入端口（P2）的数据总以互补对的形式出现，第一数据输出端口（O1）与第二数据输出端口（O2）的输出数据也是以互补对的形式输出。