[实用新型]多层陶瓷全面积LNO/Ag/LNO复合电极无效
| 申请号： | 201120074445.6 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN202013755U | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 余毅;杨春;赵治国;余江;张万里 | 申请（专利权）人： | 成都远迈科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;H01B1/08 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵;肖睿泽 |
| 地址： | 610041 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多层陶瓷全面积LNO/Ag/LNO复合电极，包括至少两片重叠放置的陶瓷片，相邻两片陶瓷片之间为“LNO导电缓冲层/Ag电极层/LNO导电缓冲层”，位于顶部和底部的陶瓷片表面依次覆盖LNO导电缓冲层、Ag电极层，LNO导电缓冲层端面的形状和面积与陶瓷片端面的形状和面积相同，Ag电极层端面的形状和面积与LNO导电缓冲层端面的形状和面积相同，所述陶瓷片与LNO导电缓冲层之间、LNO导电缓冲层与Ag电极层之间通过烧结成为一体化结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 面积 lno ag 复合 电极 | ||
【主权项】：
一种多层陶瓷全面积LNO/Ag/LNO复合电极，其特征在于包括至少两片重叠放置的陶瓷片(1)，相邻两陶瓷片(1)之间为“LNO导电缓冲层(2)/Ag电极层(3)/LNO导电缓冲层(2)”，位于顶部和底部的陶瓷片(1)表面依次覆盖LNO导电缓冲层(2)、Ag电极层(3)，LNO导电缓冲层(2)端面的形状和面积与陶瓷片(1)端面的形状和面积相同，Ag电极层(3)端面的形状和面积与LNO导电缓冲层(2)端面的形状和面积相同，所述陶瓷片(1)与LNO导电缓冲层(2)之间、LNO导电缓冲层(2)与Ag电极层(3)之间通过烧结成为一体化结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都远迈科技有限公司，未经成都远迈科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120074445.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：小型多频印刷电路板天线结构
- 下一篇：一种可闭式百叶窗
