[实用新型]三维高密度系统级封装结构有效
申请号: | 201120077784.X | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN202025749U | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 陶玉娟;石磊 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/528;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 雷志刚;潘士霖 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及三维高密度系统级封装结构,包括线路整理晶圆;位于线路整理晶圆上的至少一组倒装封装层,所述倒装封装层包括依次位于线路整理晶圆上的倒贴装层、底部填充、封料层、布线层;位于倒装封装层上的至少一组布线封装层,所述布线封装层包括依次位于倒装封装层上的正贴装层、封料层、布线层;位于末组布线封装层上的顶部封料层;设置于线路整理晶圆下方的连接球。与现有技术相比,本实用新型请求保护的三维高密度系统级封装结构,可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品,降低了系统内电阻、电感以及芯片间的干扰因素。此外,可以形成更为复杂的多层互联结构,实现集成度更高的系统级封装。 | ||
搜索关键词: | 三维 高密度 系统 封装 结构 | ||
【主权项】:
三维高密度系统级封装结构,其特征在于,包括:线路整理晶圆;位于线路整理晶圆上的至少一组倒装封装层,所述倒装封装层包括依次位于线路整理晶圆上的倒贴装层、底部填充、封料层、布线层;位于倒装封装层上的至少一组布线封装层,所述布线封装层包括依次位于倒装封装层上的正贴装层、封料层、布线层;位于末组布线封装层上的顶部封料层;设置于线路整理晶圆下方的连接球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司,未经南通富士通微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120077784.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构
- 下一篇:可控硅垫片
- 同类专利
- 专利分类