[实用新型]高稳定高灵敏单片硅基微压传感器

摘要

本实用新型涉及一种高稳定高灵敏单片硅基微压传感器，包括硅基片，所述硅基片正面光刻出背岛窗口，背岛窗口内单晶硅腐蚀形成一凹坑，凹坑的表面生长有二氧化硅层，凹坑内填有多晶硅层，所述硅基片的正面键合连接表面热生长二氧化硅层的单晶硅弹性薄膜层，单晶硅弹性薄膜层表面制作有惠斯顿电桥，所述硅基片背面光刻出方形窗口，所述方形窗口内单晶硅直至腐蚀到二氧化硅层，所述背岛窗口区形成背岛结构；本实用新型有益效果：芯片面积小，成本降低；克服了自重效应；由于背岛底面离玻璃表面距离很大，在与玻璃静电键合时产生的静电库仑力要小很多，从而不会产生粘结现象；在弹性硅膜底部有二氧化硅层，因此具有腐蚀自终止效果，保证了弹性硅膜厚度的一致性。

主权项

一种高稳定高灵敏单片硅基微压传感器，包括一N型硅基片，所述硅基片的两面均设有二氧化硅层，其特征在于：所述硅基片正面光刻出背岛窗口，所述背岛窗口内单晶硅腐蚀形成一凹坑，所述凹坑的表面生长有二氧化硅层，所述凹坑内填有多晶硅层，所述硅基片的正面键合连接表面热生长二氧化硅层的单晶硅弹性薄膜层，所述单晶硅弹性薄膜层表面采用集成电路平面工艺制作有四个P型电阻和铝引线组成一个惠斯顿电桥，所述硅基片背面光刻出方形窗口，所述方形窗口内单晶硅直至腐蚀到二氧化硅层，所述背岛窗口区形成背岛结构。