[实用新型]一种MOS管的封装结构无效
申请号: | 201120090145.7 | 申请日: | 2011-03-30 |
公开(公告)号: | CN202042474U | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 吕建密;刘茂涛;张国华;叶印凯 | 申请(专利权)人: | 上海劲昕电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H01L23/495 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 200001 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种MOS管的封装结构,其包括MOS芯片,MOS管的封装结构还包括安装到散热片的第一框架和用于承载MOS芯片的第二框架,第一框架和第二框架中间设有金属陶瓷片。本实用新型的封装结构具有良好的散热性和绝缘性,且工艺简单,具有很强的实用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种MOS管的封装结构,其可安装到散热片,包括MOS芯片,其特征在于:所述MOS管的封装结构还包括安装到散热片的第一框架和用于承载MOS芯片的第二框架,第一框架和第二框架中间设有绝缘片。
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