[实用新型]具有累积写入特征的存储器和存储系统无效
| 申请号： | 201120090846.0 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN202003695U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 郝亨福 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4197 | 分类号： | G11C11/4197;G11C16/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平;王少文 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供具有累积写入特征的存储器及存储系统，其将或运算、与运算从CPU/ALU(控制器)转移至存储器内，可减少数据传输线读写转换次数。本实用新型的一种存储器的接口单元包括写入运算指令接口、写入指令接口、地址指令接口；所述写入运算指令接口包括“写入或”指令接口和/或“写入与”指令接口；所述指令/地址-译码器用于写入运算指令、写入指令、地址指令的解码；所述p场效应晶体管的驱动能力大于数据开关的驱动能力，所述n场效应晶体管的驱动能力小于数据开关的驱动能力。本实用新型可减少CPU/ALU的工作负荷(负载)；可连续将数据写入至存储器(无需先读取)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 累积 写入 特征 存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
一种具有累积写入特征的存储器，包括接口单元、指令/地址‑译码器、多个存储单元、数据传输线，所述数据传输线包括正相数据传输线和反相数据传输线，所述存储单元包括两个互补数据开关、两个交叉耦合反相器；所述反相器包括p场效应晶体管和n场效应晶体管；所述指令/地址‑译码器的输出端分别与两个互补数据开关相连；所述两个互补数据开关分别连接正相数据传输线和正相数据、反相数据传输线和反相数据；其特征在于：所述接口单元包括写入运算指令接口、写入指令接口、地址指令接口；所述写入运算指令接口包括“写入_或”指令接口和/或“写入_与”指令接口；所述指令/地址‑译码器用于写入运算指令、写入指令、地址指令的解码；所述p场效应晶体管的驱动能力大于数据开关的驱动能力，所述n场效应晶体管的驱动能力小于数据开关的驱动能力。
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