[实用新型]一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构无效
| 申请号： | 201120093717.7 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN202039158U | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 俞军;李锡光;萧黎鑫 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所 44231 | 代理人： | 鲁慧波 |
| 地址： | 523000 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构，包括石墨管、石英管、上层托盘及下层托盘，一电机，下层托盘下端部中央设有凹槽，凹槽上方中央设有通孔；所述石墨管上端置入下层托盘底部的凹槽内配合定位；石英管套设于石墨管内，且石英管的管芯与凹槽上方的通孔联通；上层托盘下端设有容纳基片的基板槽，下层托盘上端设有容纳基板的基板槽及凸出于下层托盘上表面的支撑块，上层托盘设于下层托盘上端，之间以支撑块衔接；所述电机与石墨管传动连接。本实用新型可实现向生长外延片和向下生长外延片，并能使反应腔内的气流形成均匀的流场、温度场和浓度场，从而在基板上形成均匀的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 外延 生长 cvd 石墨 托盘 结构 | ||
【主权项】：
一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构，其特征在于，包括石墨管、石英管、上层托盘及下层托盘，一电机，下层托盘下端部中央设有凹槽，凹槽上方中央设有通孔；所述石墨管上端置入下层托盘底部的凹槽内配合定位；石英管套设于石墨管内，且石英管的管芯与凹槽上方的通孔联通；上层托盘下端设有容纳基片的基板槽，下层托盘上端设有容纳基板的基板槽及凸出于下层托盘上表面的支撑块，上层托盘设于下层托盘上端，之间以支撑块衔接；所述电机与石墨管传动连接。
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