[实用新型]新型IGBT吸收保护电容器无效
| 申请号： | 201120096912.5 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN202025651U | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 周文;朱利平;汤小五;叶名芳;李文祥 | 申请（专利权）人： | 铜陵市文峰电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G4/232 | 分类号： | H01G4/232;H01G4/32;H01G4/33;H01G4/224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 244000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 新型IGBT吸收保护电容器，涉及电容器，包括外壳，所述外壳内设有芯包，所述的外壳和芯包之间设有环氧树脂灌封层，所述芯包上设有接口端子，其特征在于：所述的接口端子为圆形铜片，所述的圆形铜片通过点焊的方式焊接在芯包上。本实用新型将铜片截面全面积焊接在芯包端面上，其电容所使用的环境是低容量超大电流，使得接口端子与芯包大面积接触，使得电容器面承受电流，比常规点承受电流大上很多，其稳定性高，频率特性好，体积小，损耗小，电感小，自愈性好，过电流能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 igbt 吸收 保护 电容器 | ||
【主权项】：
新型IGBT吸收保护电容器，包括外壳，所述外壳内设有芯包，所述的外壳和芯包之间设有环氧树脂灌封层，所述芯包上设有接口端子，其特征在于：所述的接口端子为圆形铜片，所述的圆形铜片通过点焊的方式焊接在芯包上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铜陵市文峰电子有限责任公司，未经铜陵市文峰电子有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120096912.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
