[实用新型]用于发光二极管衬底剥离的装置有效
| 申请号： | 201120106720.8 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN202042508U | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王明敏 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于发光二极管衬底剥离的装置，涉及半导体发光二极管技术领域。本实用新型的剥离结构包括倒置的发光二极管和倒置的发光二极管下方的支撑衬底。所述发光二极管包括依次置于蓝宝石衬底上方的缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和反射层。其结构特点是，所述剥离结构的外围置有从支撑衬底下方至蓝宝石衬底处的固体支撑，固体支撑和剥离结构之间填充粘胶，粘胶的上端用所设金属压环密封。本实用新型能避免氮化镓系垂直发光二极管在剥离时导致的过冲现象以及引入的较大颗粒污物引起的非正常掩蔽现象，提高产品的良率，适用于高频率激光器的使用，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光二极管 衬底 剥离 装置 | ||
【主权项】：
用于发光二极管衬底剥离的装置，它的剥离结构包括倒置的发光二极管和倒置的发光二极管下方的支撑衬底(107)，所述发光二极管包括依次置于蓝宝石衬底(101)上方的缓冲层(102)、N型半导体层(103)、发光层(104)、P型半导体层(105)和反射层(106)，其特征在于，所述剥离结构的外围置有从支撑衬底(107)下方至蓝宝石衬底(101)处的固体支撑(211)，固体支撑(211)和剥离结构之间填充粘胶(209)，粘胶(209)的上端用所设金属压环(202)密封。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同方光电科技有限公司，未经同方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120106720.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
