[实用新型]直接耦合互补输出级电路有效

专利信息
申请号: 201120111966.4 申请日: 2011-04-16
公开(公告)号: CN202014227U 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 张元元;高广亮;李阳;刘悦 申请(专利权)人: 锦州辽晶电子科技有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32
代理公司: 锦州辽西专利事务所 21225 代理人: 李辉
地址: 121000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种直接耦合互补输出级电路,包括偏置电阻、功率三极管芯片、起箝位作用的二极管芯片,其特殊之处是:所述的偏置电阻、功率三极管芯片、二极管芯片集成在一个管壳内,在管壳内焊接有陶瓷基片,所述管壳底板为钨铜材质,所述陶瓷基片为氧化铍陶瓷,在陶瓷基片上烧结有钼片和可阀片,所述的功率三极管芯片和二极管芯片分别烧结在钼片和可阀片上,所述的偏置电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上,所述的功率三极管芯片、二极管芯片和可阀片之间通过金属丝互连。优点是:结构紧凑、占用空间小,可靠性高,具有良好的散热效果,能够在超高温、超低温、高湿度、强振动等恶劣环境下使用。
搜索关键词: 直接 耦合 互补 输出 电路
【主权项】:
一种直接耦合互补输出级电路,包括偏置电阻、功率三极管芯片、起箝位作用的二极管芯片,其特征是:所述的偏置电阻、功率三极管芯片、二极管芯片集成在一个管壳内,在管壳内焊接有陶瓷基片,所述管壳底板为钨铜材质,所述陶瓷基片为氧化铍陶瓷,在陶瓷基片上烧结有钼片和可阀片,所述的功率三极管芯片和二极管芯片分别烧结在钼片和可阀片上,所述的偏置电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上,所述的功率三极管芯片、二极管芯片和可阀片之间通过金属丝互连。
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