[实用新型]一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路有效
申请号: | 201120115623.5 | 申请日: | 2011-04-19 |
公开(公告)号: | CN201975781U | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 韩军良;徐海波;宋青华 | 申请(专利权)人: | 广东易事特电源股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02N6/00 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 梁永宏 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖科*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3,开关管VT3设有电阻R1;开关管VT3为MOSFET管或IGBT管;MOSFET管的漏极或IGBT管的集电极与太阳能电池的正极端PV+连接,MOSFET管的源极或IGBT管的发射极与太阳能电池的负极输入端PV-连接,MOSFET管的栅极或IGBT管的栅极通过电阻R1和MOSFET管的源极或IGBT管的发射极连接。本实用新型能在发生太阳能电池反接的情况下,防止蓄电池正向电压和太阳能电池正向电压叠加形成的高压对VT2的高压击穿情况的发生,有效地保护了防倒流MOSFET开关管VT2的正常工作。 | ||
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【主权项】:
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,包括充电回路设置的充电控制开关管VT1和防倒流开关管VT2,其特征在于:太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3,所述开关管VT3设置有电阻R1;所述开关管VT3为MOSFET管或者IGBT管;所述MOSFET管的漏极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述MOSFET管的源极与所述太阳能电池的负极输入端PV 连接,所述MOSFET管的栅极通过电阻R1和所述MOSFET管的源极连接;所述IGBT管的集电极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述IGBT管的发射极与所述太阳能电池的负极输入端PV 连接,所述IGBT管的栅极通过电阻R1和所述IGBT管的发射极连接。
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