[实用新型]基于SiC衬底外延生长的石墨烯被动锁模激光器无效
申请号: | 201120119656.7 | 申请日: | 2011-04-21 |
公开(公告)号: | CN202111364U | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 王璞;刘江 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01S3/098 | 分类号: | H01S3/098;H01S3/08 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 魏聿珠 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种基于SiC衬底外延生长的石墨烯被动锁模激光器,属于激光技术及其非线性光学领域。主要包括SiC衬底、SiC衬底上外延生长的石墨烯、掺杂光纤、增益介质、泵浦源、波分复用器、激光分束器、单模光纤、环形器以及偏振控制器等,利用石墨烯的可饱和吸收特性实现高稳定性、高脉冲能量锁模激光输出。SiC衬底外延生长的石墨烯可重复性高、导热性好以及操作性强,因此SiC衬底外延生长的石墨烯更易于低成本、大规模应用于被动锁模激光器中。 | ||
搜索关键词: | 基于 sic 衬底 外延 生长 石墨 被动 激光器 | ||
【主权项】:
一种基于SiC衬底外延生长的石墨烯被动锁模激光器,其特征在于:泵浦源(1)连接波分复用器(2)的泵浦输入端;波分复用器(2)的公共端连接掺杂光纤(3);掺杂光纤(3)的另一端连接激光分束器(4);激光分束器(4)有两路输出,一路直接输出激光,另一路通过单模光纤(5)连接至环形器(6)的一个输入端;SiC衬底(7)上生长的石墨烯(8)位于环形器(6)的公共端;环形器(6)的输出端连接偏振控制器(9);偏振控制器(9)的另一端连接波分复用器(2)的信号端;所述的波分复用器(2)、掺杂光纤(3)、激光分束器(4)、单模光纤(5)、环形器(6)、SiC衬底(7)、偏振控制器(9)构成环形腔结构的超快光纤激光器,SiC衬底(7)上生长的石墨烯(8)作为激光锁模装置,锁模脉冲激光从激光分束器(4)和SiC衬底(7)输出。
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