[实用新型]一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置无效

专利信息
申请号: 201120128426.7 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN202111925U 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 陈波 申请(专利权)人: 成都科尚科技有限公司
主分类号: H05H1/48 分类号: H05H1/48
代理公司: 成都科奥专利事务所(普通合伙) 51101 代理人: 王蔚
地址: 610000 四川省成都市高新区天府大*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置,该等离子体发生装置在放电腔室(5)的顶部设有三根铈钨阴极(2),在放电腔室(5)的顶部中央设有与工作气体源连接的气体源接口(3),在放电腔室(5)的底部设有绝缘层(7),在绝缘层(7)下设有水冷铜板(10),绝缘层-水冷铜板交错叠加5-8次,各绝缘层(7)和水冷铜板(10)的中心孔连通构成放电通道(15),设有拉瓦尔喷嘴(17)的阳极(9)安装在最下面绝缘层(16)的下方,阳极(9)直接接地,三根水冷钨阴极(2)与直流电源连接。本实用新型不仅能保证产生高密度等离子体,而且还具有电源能量转换率高、操作和维护方便、使用寿命长等优点,特别适合进行快速薄膜沉积使用。
搜索关键词: 一种 阴极 多级 直流 放电 等离子体 发生 装置
【主权项】:
一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置,包括放电腔室(5)、阴极(2)和阳极(9),阳极(9)接地,阴极(2)与直流电源连接,其特征在于:阴极(2)为钨阴极,共三根,插装在放电腔室(5)的顶部,其尖端部分位于放电腔室(5)中,每两根钨阴极(2)之间的夹角为120°,在放电腔室(5)的顶部中央设有惰性气体源接口(3),在放电腔室(5)的底部设有绝缘层(7),在绝缘层(7)下设有水冷铜板(10),绝缘层‑水冷铜板交错叠加5‑8次,各绝缘层(7)和水冷铜板(10)的中心孔连通构成放电通道(15),设有拉瓦尔喷嘴(16)的阳极(9)安装在最下面绝缘层(7)的下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都科尚科技有限公司,未经成都科尚科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120128426.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top