[实用新型]高压启动开关和检测晶体管复用电路及应用该电路的开关电源无效

专利信息
申请号: 201120128581.9 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN202026239U 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 高耿辉;李铎;王利 申请(专利权)人: 大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M7/217;G01R19/165
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 116023 辽宁省大*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 实用新型提供一种高压启动开关及检测晶体管(SenseFET)复用电路,可应用于开关电源等,其通过高压启动开关完成启动并在启动后能够关闭启动开关避免启动电路损耗。同时,启动后高压启动开关自动充当SenseFET,完成开关电源变压器主边限流检测功能。此外,本实用新型还提供一种应用上述高压启动开关及SenseFET复用电路的开关电源,该电源能较好的抑制启动电路损耗问题并且节省Vs脚位成本。
搜索关键词: 高压 启动 开关 检测 晶体管 用电 应用 电路 开关电源
【主权项】:
一种高压启动开关和检测晶体管复用电路,包括开关信号(VSW)输入端、启动电流输入端(VST)、开关电流输入端(DRAIN)、欠压锁定输入端(UVLO)、供电输入端(VCC)以及检流端(VS),其特征在于,还包括:一功率管,其栅极与所述开关信号输入端连接,漏极与所述开关电流输入端连接,源极接地;一高压开关管,其栅极与所述启动电流输入端连接,漏极与所述功率管的漏极连接;一第一二极管,其阳极与所述开关信号输入端连接,阴极与所述高压开关管的栅极连接;一第一晶体管,其集电极经一第一电阻与所述高压开关管的栅极连接,基极经一第二电阻与所述欠压锁定输入端连接,发射极接地;一嵌位稳压管,其阳极接地,阴极与所述高压开关管的栅极连接;一恒流器,其包括:第一输出端与所述高压开关管的栅极连接,第二输出端经一第二二极管与所述供电输入端连接,以及第一输入端与所述的检流端连接;以及一第二晶体管,其集电极经一第三电阻与所述的检流端连接,基极经一第四电阻与所述的欠压锁定输入端连接,发射极接地。
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