[实用新型]压接式可控硅芯片结构无效
| 申请号： | 201120137324.1 | 申请日： | 2011-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN202025761U | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 郑锦春;王文学;康春华 | 申请（专利权）人： | 锦州市锦利电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L23/31;H01L29/06 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种压接式可控硅芯片结构，包括可控硅芯片、位于可控硅芯片阴极面的垫片、位于可控硅芯片阳极面的下钼片，其特殊之处是：可控硅芯片边缘设有硅胶套，在垫片上放置有上钼片，所述的上钼片、垫片与可控硅芯片阴极面压接在一起，下钼片与可控硅阳极面压接在一起，且垫片、上钼片和下钼片位于硅胶套内，所述的可控硅芯片边缘的形状为双正角，在角内填涂硅橡胶。优点是：将上钼片、下钼片和可控硅芯片压接在一起，可将先施加到上、下钼片上的压力均匀分给可控硅芯片，可控硅芯片不易损坏，提高了成品的合格率；由于可控硅芯片边缘形状为双正角，可增大可控硅芯片的峰值电压，同时阴极面面积不会减少，不增加通态压降VTM，导通损耗小。 | ||
| 搜索关键词： | 压接式 可控硅 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种压接式可控硅芯片结构，包括可控硅芯片、位于可控硅芯片阴极面的垫片、位于可控硅芯片阳极面的下钼片，其特征是：在可控硅芯片边缘设有硅胶套，在垫片上放置有上钼片，所述的上钼片、垫片与可控硅芯片阴极面压接在一起，所述的下钼片与可控硅阳极面压接在一起，且所述的垫片、上钼片和下钼片位于硅胶套内，所述的可控硅芯片边缘的形状为双正角，在角内填涂硅橡胶。
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