[实用新型]一种高压驱动电路的隔离结构

摘要

一种用于高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底，在P形衬底上设有P型外延层，在P型外延层上设有高压区、低压区、高低压结终端区、第一P型结隔离区和半环形P型结隔离区且半环形P型结隔离区的两端与第一P型结隔离区连接，其特征在于，所述的半环形P型结隔离区由半环形P型埋层及半环形P型阱区组成，半环形P型阱区位于半环形P型埋层上方，在半环形P型埋层的两端与第一P型结隔离区之间分别设有第一间隙和第二间隙，所述P形衬底和P型外延层向第一间隙和第二间隙延伸并填实。本实用新型专利解决了P型埋层引入造成的高低压结终端区中发局部击穿问题，使得LDMOS与周围部分有效隔离。

主权项

一种高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底（1），在P形衬底（1）上设有P型外延层（3），在P型外延层（3）上设有高压区（110）和低压区（140），在高压区（110）与低压区（140）之间设有高低压结终端区（120），在高低压结终端区（120）与低压区（140）之间设有第一P型结隔离区（130a），所述的第一P型结隔离区（130a）由第一P型埋层（2）及第一P型阱区（6）组成，第一P型阱区（6）位于第一P型埋层（2）的上方，第一P型埋层（2）位于P形衬底（1）与P型外延层（3）的交界处，在第一P型结隔离区（130a）上连接有半环形P型结隔离区（130b）且半环形P型结隔离区（130b）的两端与第一P型结隔离区（130a）连接，所述的半环形P型结隔离区（130b）设在高低压结终端区（120）上，所述的半环形P型结隔离区（130b）由半环形P型埋层（4）及半环形P型阱区（5）组成，半环形P型阱区（5）位于半环形P型埋层（4）上方，其特征在于，在半环形P型埋层（4）的两端与第一P型结隔离区（130a）之间分别设有第一间隙（7）和第二间隙（8），所述P形衬底（1）和P型外延层（3）向第一间隙（7）和第二间隙（8）延伸并填实。