[实用新型]单神经元及多神经元集群间神经信号传递特性探测装置

摘要

一种单神经元及多神经元集群间神经信号传递特性探测装置，包括按照阵列分布的可单独控制的电极单元，包括激励电极和探测电极，对应连接有激励开关和探测开关。开关包括两只MOS管，两个MOS管源和漏连接，再连接到电极。各行、列激励电极单元中的两只MOS管的栅分别相连并形成各行、列的激励开关行、列控制端，连接至激励串行输入-并行输出移位寄存器的各并行输出端；各行、列的探测电极单元中的两只MOS管的栅分别相连并形成各行、列的探测开关行、列控制端连接至探测串行输入-并行输出移位寄存器的各并列输出端。各激励信号输入端都与神经信号激励器相连,各探测信号输出端与神经信号探测器相连，再连接到多路选择电路后输出。

主权项

一种单神经元及多神经元集群间神经信号传递特性探测装置，其特征在于，包括按照阵列分布的可单独控制的电极单元，该电极单元包括：激励电极（5）和探测电极（6），在激励电极（5）和探测电极（6）上分别连接有激励开关和探测开关，所述的激励开关包括第一MOS管（1）和第二MOS管（2），第一MOS管（1）的源和第二MOS管（2）的漏连接，第二MOS管（2）的源与激励电极（5）连接；所述的探测开关包括第三MOS管（3）和第四MOS管（4），第三MOS管（3）的源和第四MOS管（4）的漏连接，第四MOS管（4）的源与探测电极（6）连接，各行的电极单元中的第一MOS管（1）的栅相连并形成各行的激励开关行控制端，在激励开关行控制端上连接有行激励串行输入‑并行输出移位寄存器（8）且各激励开关行控制端分别与行激励串行输入‑并行输出移位寄存器（8）的各并行输出端连接；各列的电极单元中的第二MOS管（2）的栅相连并形成各列的激励开关列控制端，在激励开关列控制端上连接有列激励串行输入‑并行输出移位寄存器（10）且各激励开关列控制端分别与列激励串行输入‑并行输出移位寄存器（10）的各并行输出端连接；各行的电极单元中的第四MOS管（4）的栅相连并形成各行的探测开关行控制端，在探测开关行控制端上连接有行探测串行输入‑并行输出移位寄存器（7）且各探测开关行控制端分别与行探测串行输入‑并行输出移位寄存器（7）的各并行输出端连接；各列的电极单元中的第三MOS管（3）的栅相连并形成各列的探测开关列控制端，在探测开关列控制端上连接有列探测串行输入‑并行输出移位寄存器（9）且各探测开关列控制端分别与列探测串行输入‑并行输出移位寄存器（9）的各并行输出端连接；各激励信号输入端都与神经信号激励器相连；各探测信号输出端与神经信号探测器相连，再连接到多路选择电路。