[实用新型]一种芯片倒装的发光二极管有效
申请号: | 201120174393.X | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN202159699U | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 王维昀;李永德 | 申请(专利权)人: | 东莞市福地电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/42 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 张明 |
地址: | 523000 广东省东莞市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及发光器件技术,尤其涉及一种芯片倒装的发光二极管。本实用新型提供的一种芯片倒装的发光二极管,它包括有发光二极管芯片、倒装基板,发光二极管芯片与倒装基板之间设置有各向异性导电胶,发光二极管芯片通过各向异性导电胶倒装固定于倒装基板。本实用新型只通过各向异性导电胶,就可以将发光二极管芯片倒装固定于倒装基板,无需超声焊接,无需价格昂贵的金及昂贵复杂的超声倒装机台,因此,本实用新型提供的芯片倒装的发光二极管具有生产成本低、生产的不良率较低、工艺简单等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 倒装 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种芯片倒装的发光二极管,它包括有发光二极管芯片、倒装基板,其特征在于:所述发光二极管芯片包括有衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层,所述n型半导体层覆盖在所述衬底的底面,所述有源层覆盖在所述n型半导体层的底面,所述p型半导体层覆盖在所述有源层的底面,且所述n型半导体层设置有外露区域,所述n型半导体层的外露区域设置有与所述n型半导体层电连接的n极接触层,所述p型半导体层表面设置有与所述p型半导体层电连接的p极接触层;所述倒装基板包括有基底、n极电极线层、p极电极线层、与所述n极电极线层电连接的n极底电极层、与所述p极电极线层电连接的p极底电极层,所述n极电极线层、p极电极线层均覆盖在所述基底的表面,所述n极底电极层、p极底电极层均覆盖在所述基底的底面;所述发光二极管芯片与所述倒装基板之间设置有各向异性导电胶,所述发光二极管芯片通过所述各向异性导电胶倒装固定于所述倒装基板,其中,所述发光二极管芯片的n极接触层通过各向异性导电胶与所述倒装基板的n极电极线层电连接,所述发光二极管芯片的p极接触层通过各向异性导电胶与所述倒装基板的p极电极线层电连接。
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