[实用新型]薄膜磁电阻传感元件、多个传感元件的组合及与该组合耦合的电子装置有效
| 申请号： | 201120175774.X | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN202083786U | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种薄膜磁电阻传感元件，用来检测垂直于其所沉积的基片平面的磁场分量，该传感元件包括自由层、参考层、位于自由层和参考层之间的隔离层，自由层材料固有的易轴被设置成垂直于其所沉积的基片平面，参考层中的磁化方向限制为平行于基片平面的方向，该参考层由与反铁磁层磁藕合的铁磁层构成或由比自由层矫顽力高的铁磁层构成，隔离层由绝缘材料或是导电材料制成。本实用新型还提供多个前述传感元件的组合以及一种与上述传感元件组合耦合的电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁电 传感 元件 组合 耦合 电子 装置 | ||
【主权项】：
薄膜磁电阻传感元件，用来检测垂直于其所沉积的基片平面的磁场分量，其特征在于包括：一自由层，该自由层的材料固有的易轴被设置成垂直于其所沉积的基片平面；一参考层，所述参考层中的磁化方向限制为平行于基片平面的方向，该参考层由与反铁磁层磁藕合的铁磁层构成或由比自由层矫顽力高的铁磁层构成；一隔离层，该隔离层位于所述自由层和参考层之间，该隔离层由绝缘材料或是导电材料制成。
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