[实用新型]光电转换装置有效
申请号: | 201120175836.7 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN202196801U | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 章灵军;吴坚;张凤;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06;H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种光电转换装置,具有受光面和背光面,主要包括:任意导电类型的半导体基板和贯穿该半导体基板的孔洞,并且仅在半导体基板的受光面上设置与半导体基板导电类型相反的半导体。通过上述本实用新型中仅在受光面处设置半导体,并且基于导电类型相反的半导体基板和该半导体构成可实现受光面上的光转换为电的结构,以便于实现在增加光电转换效率的同时,降低制造成本和制作步骤、时间的目的。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,具有受光面和背光面,其特征在于,包括:半导体基板(1);贯穿所述半导体基板(1)的孔洞(3),所述孔洞(3)的内壁导电类型与所述半导体基板(1)相同;仅设置于所述半导体基板(1)的受光面上且与半导体基板(1)导电类型相反的半导体(2);位于所述孔洞(3)内并与孔洞(3)的内壁直接接触的电极(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的