[实用新型]多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置有效
申请号: | 201120176127.0 | 申请日: | 2011-05-30 |
公开(公告)号: | CN202090056U | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 李严州;张华芹;程佳彪;茅陆荣 | 申请(专利权)人: | 上海森松化工成套装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/24 |
代理公司: | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人: | 马育麟 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置包括多晶硅CVD炉进气量调节装置与多晶硅CVD炉出气量调节装置,所述的多晶硅CVD炉出气量调节装置包括多晶硅CVD炉中心出气口出气调节装置和非中心出气口出气量调节装置。当多晶硅CVD炉内出现类似雾化等不良现象时,可通过调节多晶硅CVD炉进气量调节阀来降低类似雾化等不良现象;多晶硅生产前期与后期,通过调节中心出气口与非中心出气口,来控制混合气的出气量,保证混合气在多晶硅CVD炉内均匀、充分的化学反应。本实用新型,实施和操作简单,并能有效地提高多晶硅CVD炉的生产效率、提高多晶硅品质和降低多晶硅生产能耗。 | ||
搜索关键词: | 多晶 cvd 混合 进出 调节 装置 | ||
【主权项】:
多晶硅CVD炉混合气进出量调节装置,其特征在于:包括进气量调节装置、或者出气量调节装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的