[实用新型]一种晶体管耦合电路有效
申请号: | 201120178318.0 | 申请日: | 2011-05-30 |
公开(公告)号: | CN202143051U | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 白云 | 申请(专利权)人: | 深圳市格莱德科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/14 | 分类号: | H03K19/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区松岗街道燕*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种晶体管耦合电路,三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极;三极管Q1的基极连接电阻R1,电阻R1的另一端是外界输入控制端A,三极管Q1的集电极连接电阻R2,电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4,电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极;三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y;电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q;三极管Q2的基极连接电阻R3,电阻R3的另一端作为外接输入控制端B;三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R,在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极,在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。电路简单,自耗电流小。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体管 耦合 电路 | ||
【主权项】:
一种晶体管耦合电路,其特征在于:三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极;三极管Q1的基极连接电阻R1,电阻R1的另一端是外界输入控制端A,三极管Q1的集电极连接电阻R2,电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4,电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极;三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y;电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q;三极管Q2的基极连接电阻R3,电阻R3的另一端作为外接输入控制端B;三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R,在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极,在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市格莱德科技有限公司,未经深圳市格莱德科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120178318.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。