[实用新型]一种大功率二极管芯片无效
| 申请号： | 201120179177.4 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN202103087U | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李成录;符爱娟;戴亮 | 申请（专利权）人： | 常州佳讯光电产业发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213181 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率二极管芯片，其包括二极管晶粒和用于封装二极管晶粒的壳体，所述的二极管晶粒的横截面形状为正2n边型，n≥4。本实用新型的大功率二极管芯片反向漏电流很小，不容易反向击穿，负载能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种大功率二极管芯片，其特征在于：其包括二极管晶粒和用于封装二极管晶粒的壳体，所述的二极管晶粒的横截面形状为正2n边型，n≥4。
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