[实用新型]高电压高频快速开关的大功率晶体管

摘要

本实用新型涉及一种高电压高频快速开关的大功率晶体管，其包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型N+型衬底及第一导电类型N-型集电区；半导体基板内设有具有第二导电类型P型的第一基区及P型第二基区，第二基区延伸到第一导电类型N-型集电区内；第一基区内的上部设有第一导电类型N+型发射区；半导体基板的上部表面覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层上设有发射极金属层及基极金属层，发射极金属层与第一导电类型N+型发射区电连接，基极金属层与第一基区及第二基区电连接；半导体基板内设有台面玻璃钝化区，所述台面玻璃钝化区从半导体基板的上部表面延伸到第一导电类型N+型衬底与第一导电类型N-型集电区的结合部。本实用新型结构简单，耐压高，开关速度快，特征频率高，使用成本低，安全可靠。

主权项

一种高电压高频快速开关的大功率晶体管，包括半导体基板，所述半导体基板包括位于底部的第一导电类型N+型衬底及位于所述第一导电类型N+型衬底上方的第一导电类型N‑型集电区；其特征是：所述半导体基板内对应第一导电类型N‑型集电区上方设有具有第二导电类型P型的第一基区及具有第二导电类型P型的第二基区，所述第二基区位于第一基区的外圈，第一基区邻接第一导电类型N‑型集电区，第二基区从半导体基板上部表面延伸到第一导电类型N‑型集电区内；第一基区内的上部设有第一导电类型N+型发射区；半导体基板的上部表面覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有发射极金属层及基极金属层，所述发射极金属层与第一导电类型N+型发射区电连接，基极金属层与P型第一基区及P型第二基区电连接；半导体基板内设有台面玻璃钝化区，所述台面玻璃钝化区从半导体基板的上部表面延伸到第一导电类型N+型衬底与第一导电类型N‑型集电区的结合部，且台面玻璃钝化区包围第一导电类型N‑型集电区、第一基区及第二基区。