[实用新型]同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201120182395.3 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN202183377U | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;贾洪亮;黄飚;黄宇华;史亮亮;张峰 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼后在氮气中退火来完全晶化，去除低温氧化物层来限定有源岛。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 驱入镍 调整 阈值 电压 金属 诱导 多晶 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼，去除低温氧化物层来限定有源岛。
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