[实用新型]双层减反射膜太阳能电池片及太阳能电池板有效
申请号: | 201120184766.1 | 申请日: | 2011-06-02 |
公开(公告)号: | CN202189797U | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 张飞;李振 | 申请(专利权)人: | 包头市山晟新能源有限责任公司;内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古科盛太阳能科技有限责任公司;上海山晟太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;冯志云 |
地址: | 014105 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双层减反射膜太阳能电池片及一种太阳能电池板,所述双层减反射膜太阳能电池片的硅片正面涂覆有双层减反射膜,所述双层反减反射膜包括第一氮化硅层和第二氮化硅层:所述第一氮化硅层,直接覆盖于所述太阳能电池片正面,具有第一折射率和第一厚度;所述第二氮化硅层,覆盖于所述第一氮化硅层表面,具有第二折射率和第二厚度;所述第一折射率和所述第二折射率均介于1.9-2.4之间,且所述第一折射率大于所述第二折射率,所述第一厚度和所述第二厚度之和介于70-90纳米之间。本实用新型的双层减反射膜太阳能电池片,提高了太阳能电池片的整体减反射效果。 | ||
搜索关键词: | 双层 减反射膜 太阳能电池 太阳能 电池板 | ||
【主权项】:
一种双层减反射膜太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片的硅片正面涂覆有双层减反射膜,所述双层反减反射膜包括第一氮化硅层和第二氮化硅层:所述第一氮化硅层,直接覆盖于所述太阳能电池片正面,具有第一折射率和第一厚度;所述第二氮化硅层,覆盖于所述第一氮化硅层表面,具有第二折射率和第二厚度;所述第一折射率和所述第二折射率均介于1.9‑2.4之间,且所述第一折射率大于所述第二折射率,所述第一厚度和所述第二厚度之和介于70‑90纳米之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的