[实用新型]一种高增益雪崩二极管

摘要

一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温下工作。高增益雪崩二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极，由n型重掺杂层，电荷倍增区，p型重掺杂层组成的雪崩区，吸收区，吸收区上设有p型欧姆接触电极和p型欧姆接触层，其特征在于，雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。该高增益雪崩二极管能够大大降低器件总的暗电流，从而提高器件增益，提高探测频率。

主权项

一种高增益雪崩二极管，包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极，由n型重掺杂层，电荷倍增区，p型重掺杂层组成的雪崩区，吸收区，吸收区上设有p型欧姆接触电极和p型欧姆接触层，其特征在于，雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。