[实用新型]半导体散热封装结构有效

专利信息
申请号: 201120208399.4 申请日: 2011-06-20
公开(公告)号: CN202142517U 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 史鹏飞 申请(专利权)人: 郑州光维新电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/34
代理公司: 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 代理人: 陈大通
地址: 450000 河南省郑州市航海东路*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 实用新型涉及一种半导体散热封装结构;半导体散热封装结构含有半导体基板和一定个数的半导体芯片体,半导体芯片体通过胶体层粘贴在半导体基板的上表面,半导体芯片体上的金属引线连接在芯片体输出端上,半导体基板的上部设有塑封体,半导体芯片体、金属引线和芯片体输出端均封装在塑封体中,在塑封体的上表面且位于半导体芯片体的上方设有散热凹槽或散热凹坑,散热凹槽或散热凹坑中设有散热体,散热体的外形与散热凹槽或散热凹坑的形状匹配,散热体的底面与散热凹槽或散热凹坑的底面之间设有导热介面材料层;本实用新型提供了一种结构简单、散热性能好的半导体散热封装结构。
搜索关键词: 半导体 散热 封装 结构
【主权项】:
一种半导体散热封装结构,含有半导体基板和一定个数的半导体芯片体,半导体芯片体通过胶体层粘贴在半导体基板的上表面,半导体芯片体上的金属引线连接在芯片体输出端上,半导体基板的上部设有塑封体,半导体芯片体、金属引线和芯片体输出端均封装在塑封体中,其特征是:在塑封体的上表面且位于半导体芯片体的上方设有散热凹槽或散热凹坑,散热凹槽或散热凹坑中设有散热体,散热体的外形与散热凹槽或散热凹坑的形状匹配,散热体的底面与散热凹槽或散热凹坑的底面之间设有导热介面材料层。
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