[实用新型]一种硅晶磊晶层、相关的晶硅基板结构及利用晶硅基板制造的硅晶太阳能电池结构

摘要

一种硅晶磊晶层、相关的晶硅基板结构及利用晶硅基板制造的硅晶太阳能电池结构，其中硅晶磊晶层包括一晶硅基板以及一金属浆料，晶硅基板的厚度为120.0微米与220.0微米间，金属浆料印制覆盖晶硅基板的至少一个全表面，金属浆料印制覆盖的厚度范围为5.0微米与300.0微米间，金属浆料包括一第一金属微粒与一助剂，且在晶硅基板全表面形成一厚度为6.0微米以上的硅晶薄膜，晶硅基板的阻值规格为0.05Ω．㎝以上，硅晶薄膜的阻值规格为0.0001Ω．㎝与1.0Ω．㎝间，金属浆料的黏度范围是10与500PaS间，而第一金属微粒的纯度是99.9%与99.9999%间，第一金属微粒的粒径范围为0.01微米与20.0微米间，第一金属微粒的重量百分比为70%与90%间，助剂的重量百分比为10%与30%间，第一金属微粒，是与硅晶能共溶的金属微粒，或其合金的微粒，或其相互混合的微粒。

主权项

一种硅晶磊晶层，其特征在于，所述硅晶磊晶层包括：一晶硅基板，所述晶硅基板的阻值规格为0.05Ω．㎝以上，且其厚度为120.0微米与220.0微米间；以及一金属浆料，所述金属浆料包括一第一金属微粒与一助剂，所述金属浆料印制覆盖所述晶硅基板的至少一个全表面，且在所述的晶硅基板全表面形成一硅晶薄膜；其中，所述硅晶薄膜厚度为6.0微米以上，所述硅晶薄膜的阻值规格为0.0001 Ω ㎝与1.0 Ω ㎝间；其中，所述金属浆料印制覆盖的厚度范围为5.0微米与300.0微米间，所述金属浆料的黏度范围是10与500 PaS间，而所述第一金属微粒的纯度是99.9 %与99.9999 %间、所述第一金属微粒的粒径范围为0.01微米与20.0微米间，所述第一金属微粒的重量百分比为70%与90 %间，所述助剂的重量百分比为10%与30 %间，所述第一金属微粒，是与硅晶能共溶的纯金属的铝、铜、金、锡、镓、铟或铅的金属微粒，或合金的铝铜、铝镓、铝铟、铝锡或铝硅的合金微粒，或纯金属的铝、铜、金、锡、镓、铟或铅相互混合的微粒。