[实用新型]基于光导开关的参数可调高压纳秒电脉冲产生器有效
申请号: | 201120213954.2 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN202127386U | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 吴明和 | 申请(专利权)人: | 吴明和 |
主分类号: | H03K3/011 | 分类号: | H03K3/011 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐宏;吴彦峰 |
地址: | 610054 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于光导开关的参数可调高压纳秒电脉冲产生器,其特征在于该高压纳秒电脉冲产生器包括光电延时器子系统、脉冲二极管光功率调节子系统、高压充电电源子系统、电容储能子系统与光导开关放电子系统和负载应用子系统,其中所述脉冲二极管光功率通过调节子系统中的激光脉冲二极管与所述电容储能子系统中的核心器件光导开关相连接。本实用新型有益效果是提高光导开关的寿命:光导开关的充分导通和电容器的充分放电降低了光导开关光照后的剩余电场,光导开关无光时不会由于GaAs的负微分效应而导致二次导通,降低了光导开关的热击穿几率,从而将GaAs光导开关的寿命从数十次提高到数百万次。 | ||
搜索关键词: | 基于 开关 参数 可调 高压 电脉冲 产生器 | ||
【主权项】:
基于光导开关的参数可调高压纳秒电脉冲产生器,其特征在于该高压纳秒电脉冲产生器包括光电延时器子系统、脉冲二极管光功率调节子系统、高压充电电源子系统、电容储能子系统与光导开关放电子系统和负载应用子系统,其中所述脉冲二极管光功率调节子系统中的激光脉冲二极管与所述电容储能子系统中的核心器件光导开关相连接。
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