[实用新型]一种有效收集衬底电流的LDMOS版图结构有效
| 申请号： | 201120214928.1 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN202134539U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;肖慧敏;陈力山 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种有效收集衬底电流的LDMOS版图结构，包括P型体区、N型漂移区、源区、漏区、体引出区以及栅极区，所述P型体区与N型漂移区相邻，所述栅极区跨设于P型体区和N型漂移区上方，所述漏区位于所述N型漂移区中，所述源区、体引出区平行交替排列于P型体区中，所述源区、体引出区均通过栅极区与所述漏区分隔开，所述源区、体引出区均与所述栅极区的边界相接或部分重合。本实用新型中所述版图结构的体引出区更靠近产生热载流子和相应的衬底电流产生的沟道区域，更有效地收集衬底电流，避免衬底电流过大而开启寄生的NPN双极型晶体管，防止器件损坏，从而达到了扩大LDMOS的安全工作区域的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 收集 衬底 电流 ldmos 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种有效收集衬底电流的LDMOS版图结构，其特征在于，包括P型体区、N型漂移区、源区、漏区、体引出区以及栅极区，所述P型体区与N型漂移区相邻，所述栅极区跨设于P型体区和N型漂移区上方，所述漏区位于所述N型漂移区中，所述源区、体引出区平行交替排列于P型体区中，所述源区、体引出区均通过栅极区与所述漏区分隔开，所述源区、体引出区均与所述栅极区的边界相接或部分重合。
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