[实用新型]一种单晶硅片的超声波清洗装置有效
| 申请号： | 201120218174.7 | 申请日： | 2011-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN202134514U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 倪云达;葛正芳;钱大丰 | 申请（专利权）人： | 江苏顺大半导体发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/12 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 225653 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶硅片的超声波清洗装置，包括清洗槽和搁置单晶硅片的框架，在清洗槽的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口，在清洗槽内腔底部设有超声波振子；所述框架包括石英网格面和支架，所述石英网格面通过支架平置于清洗槽内，且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽内腔底部存在间距。本实用新型提供的单晶硅片的超声波清洗装置，结构简单，能够增加单晶硅片清洗后的清洁度，并能够减少用水。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 超声波 清洗 装置 | ||
【主权项】：
一种单晶硅片的超声波清洗装置，其特征在于：该清洗装置包括清洗槽（1）和搁置单晶硅片的框架（2），在清洗槽（1）的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口，在清洗槽（1）内腔底部设有超声波振子；所述框架（2）包括石英网格面和支架，所述石英网格面通过支架平置于清洗槽（1）内，且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽（1）内腔底部存在间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
