[实用新型]一种大面积超薄单晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201120218182.1 | 申请日： | 2011-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN202134563U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 倪云达;葛正芳;胡宏珊 | 申请（专利权）人： | 江苏顺大半导体发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 225653 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其上、下表面积为125mm×125mm；该太阳能电池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作为负极面的N+P结层；在P型硅片背面制成作为正极面的P+P结层；所述负极面通过负极金属电极引出，所述正极面通过正极金属电极引出，所述负极金属电极和正极金属电极相串联；在N+P结层和P+P结层喷涂有氮化硅层。本实用新型提供的大面积超薄单晶硅太阳能电池，在硅片的两面都形成光照转化结构，与普通太阳能电池相比，可增加实际的输出功率，更有效地利用了太阳能，并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 超薄 单晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池的上、下表面积为125mm×125mm；该太阳能电池包括P型硅片（1），在P型硅片（1）正面制成作为负极面的N+P结层（2）；在P型硅片（1）背面制成作为正极面的P+P结层（3）；所述负极面通过负极金属电极（4）引出，所述正极面通过正极金属电极（5）引出，所述负极金属电极（4）和正极金属电极（5）相串联；在N+P结层（2）和P+P结层（3）喷涂有氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
