[实用新型]一种用作电容耦合等离子体处理室的部件的限定环有效
| 申请号： | 201120221716.6 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN202285227U | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·C·凯洛格;阿列克谢·马拉什塔内夫;拉金德尔·迪恩扎 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/16 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型描述了一种用作电容耦合等离子体处理室的部件的限定环。所述限定环的内表面提供有延伸的等离子体限定区，所述限定区包绕位于上部电极和下部电极之间的间隙，在所述室中进行等离子体处理的过程中，半导体衬底被支撑于所述下部电极上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用作 电容 耦合 等离子体 处理 部件 限定 | ||
【主权项】：
用作电容耦合等离子体处理室的部件的限定环，其中所述限定环的内表面提供有延伸的等离子体限定区，所述限定区包绕位于上部电极和支撑下部电极之间的间隙，在所述室中进行等离子体处理的过程中，半导体衬底被支撑于所述下部电极上，所述限定环包括：环形上部壁，其水平延伸并且包含位于其内端的适于支承所述等离子体室的所述上部电极的外边缘的环形凸缘；侧壁，其从上部壁的外端竖直向下延伸；和环形下部壁，其从所述侧壁的下端向内水平延伸，所述下部壁包括沿圆周间隔开的径向延伸的槽，所述槽中的每一条有至少1.0英寸的长度，和0.05至0.2英寸的一致的宽度，所述槽均匀间隔，径向位置偏差不超过2°。
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