[实用新型]超高纯锗单晶炉有效
申请号: | 201120226614.3 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN202164386U | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 白尔隽 | 申请(专利权)人: | 白尔隽 |
主分类号: | C30B29/08 | 分类号: | C30B29/08;C30B15/00;C30B35/00 |
代理公司: | 深圳市远航专利商标事务所 44276 | 代理人: | 褚治保 |
地址: | 518060 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及探测器级的超高纯锗单晶制备的单晶炉。该超高纯锗单晶炉,包括固定装置、加热装置、冷却装置、通气装置以及拉晶装置,所述拉晶装置包括提拉部分以及热熔部分,所述提拉部分上部为籽晶杆,籽晶杆下部固定石英棒,石英棒前端固定籽晶夹具,所述籽晶夹具前端头是锗籽晶;所述热熔部分固定于石英保温环内,其通过坩埚杆固定于下法兰及底座上,坩埚杆顶部固定石英坩埚,所述石英坩埚内盛装多晶锭。本实用新型反应设备清洁度更高,炉体、坩埚及内部零件都用高纯石英件替代现用的石墨材料,且采用高频感应加热方式,避免用电阻石墨直接进行加热产生的杂质污染,降低了拉制产品过程中混杂杂质的可能性,保障了产品的纯度。 | ||
搜索关键词: | 高纯 锗单晶炉 | ||
【主权项】:
一种超高纯锗单晶炉,包括固定装置、加热装置、冷却装置、通气装置以及拉晶装置,其特征在于,所述固定装置为位于圆筒形隔热保温罩(22)上下两端的上法兰(16),下法兰及底座(17),以及上密封装置(14)及下密封装置(15),隔热保温罩(22)腔体内由外至内依次设有所述加热装置、石英管(1)、石英保温环(4)以及所述拉晶装置;所述加热装置包括连接至中高频电源接口(13)的感应线圈(7),以及固定于感应线圈(7)与石英管(1)之间的石墨加热器(9);所述冷却装置包括设于上法兰(16)的上法兰进水口(20)以及上法兰出水口(21),下法兰及底座(17)内同时通有冷却水;所述通气装置包括设于隔热保温罩(22)上部的进气口(18)以及出气口(19):所述拉晶装置包括穿装于上密封装置(14)内的提拉部分以及固定于下法兰及底座(17)上的热熔部分,所述提拉部分上部为籽晶杆(11),所述籽晶杆(11)上部穿装于上密封装置(14)内,其下部固定石英棒(5),石英棒(5)前端固定籽晶夹具(6),所述籽晶夹具(6)前端头是锗籽晶(24);所述热熔部分固定于石英保温环(4)内,其通过坩埚杆(12)固定于下法兰及底座(17)上,坩埚杆(12)顶部固定石英坩埚(2),所述石英坩埚(2)内盛装多晶锭(23)。
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