[实用新型]一种采用多权位控制技术的硅链调压装置有效
| 申请号： | 201120231507.X | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN202121506U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 关平;易群峰 | 申请（专利权）人： | 珠海瓦特电力设备有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/16 | 分类号： | H02M3/16 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 喻新学 |
| 地址： | 519080 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用多权位控制技术的硅链调压装置，包括硅链、调压继电器以及调压控制模块，其中所述硅链包括多组串联的二极管硅堆，并以第一组二极管硅堆为基准，其后每组二极管硅堆的压降分别为第一组二极管硅堆的倍数递增，其中每组二极管硅堆还与一个调压继电器的触点相并联，所述调压继电器的线圈与所述调压控制模块相连接，所述调压控制模块控制所述调压继电器触点的开合以将不同的二极管硅堆或者二极管硅堆的组合接入所述硅链中实现对所述硅链总压降的调整。相比传统等权位调压装置，本实用新型的调压控制精度有显著提高，而且同时明显降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 权位 控制 技术 调压 装置 | ||
【主权项】：
一种采用多权位控制技术的硅链调压装置，包括硅链（1）、调压继电器（2）以及调压控制模块（3），其特征在于：所述硅链（1）包括多组串联的二极管硅堆（11），并以第一组二极管硅堆（11）为基准，其后每组二极管硅堆（11）的压降分别为第一组二极管硅堆（11）的倍数递增，其中每组二极管硅堆（11）还与一个调压继电器（2）的触点相并联，所述调压继电器（2）的线圈与所述调压控制模块（3）相连接，所述调压控制模块（3）控制所述调压继电器（2）触点的开合以将不同的二极管硅堆（11）或者二极管硅堆（11）的组合接入所述硅链（1）中实现对所述硅链（1）总压降的调整。
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