[实用新型]全自动硅单晶生长炉有效
| 申请号： | 201120243032.6 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN202175742U | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 房志刚 | 申请（专利权）人： | 常州江南电力光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213125 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅单晶生长炉，特别是一种全自动硅单晶生长炉，包括炉体、炉筒、循环冷却水系统、提拉装置、保护气系统和控制系统；所述循环冷却水系统设置在炉体外壁上；所述提拉装置固定在炉体上方的炉筒内；所述保护气系统连接在炉体上；所述炉体内设置单晶硅生长环境参数采集系统；所述循环冷却水系统、保护气系统、提拉装置和单晶硅生长环境参数采集系统都与控制系统相连。采用上述结构后，对硅单晶生长炉内的环境参数进行实时监控，通过控制系统来自动控制单晶硅棒的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 全自动 硅单晶 生长 | ||
【主权项】：
一种全自动硅单晶生长炉，其特征在于：包括炉体、炉筒、循环冷却水系统、提拉装置、保护气系统和控制系统；所述循环冷却水系统设置在炉体外壁上；所述提拉装置固定在炉体上方的炉筒内；所述保护气系统连接在炉体上；所述炉体内设置单晶硅生长环境参数采集系统；所述循环冷却水系统、保护气系统、提拉装置和单晶硅生长环境参数采集系统都与控制系统相连。
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