[实用新型]一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置有效
| 申请号： | 201120247524.2 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN202144523U | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 周建华 | 申请（专利权）人： | 西安华晶电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置，包括单晶炉，单晶炉炉体包括主炉室和副炉室，主炉室内设置有石英坩埚、布设在石英坩埚正上方的导流筒、套装在石英坩埚外侧的石墨坩埚和布设在石墨坩埚正下方的石墨热场系统，还包括水平放置在石英坩埚内侧中部的石英筒，石英筒与石英坩埚呈同轴布设，且石英筒的顶部高度不高于石英坩埚的顶部高度；石英筒底部沿圆周方向开有用于将石英坩埚内腔与石英筒内腔连通的多个通孔，多个所述通孔的结构和尺寸均相同且多个通孔呈均匀布设。本实用新型结构简单、设计合理、使用操作简便、实现方便且使用效果好，所拉制硅单晶头部与尾部的电阻率基本保持一致，大大提高了硅单晶的纵向电阻率一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单晶硅 纵向 电阻率 一致性 装置 | ||
【主权项】：
一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置，包括单晶炉，所述单晶炉包括单晶炉炉体和布设在单晶炉炉体外侧的功率柜(10)，所述单晶炉炉体包括主炉室(6)和位于主炉室(6)正上方的副炉室(4)，所述主炉室(6)内设置有石英坩埚(17‑1)、布设在石英坩埚(17‑1)正上方的导流筒、套装在石英坩埚(17‑1)外侧的石墨坩埚(17‑2)和布设在石墨坩埚(17‑2)正下方的石墨热场系统，所述石墨热场系统与功率柜(10)上所设置的接线端相接，其特征在于：还包括水平放置在石英坩埚(17‑1)内侧中部的石英筒(17‑3)，所述石英筒(17‑3)为上下均开口的圆柱状筒体且所述圆柱状筒体的壁厚为3mm～10mm，所述石英筒(17‑3)的外径为其所处石英坩埚(17‑1)内径的1/2～1/3；所述石英筒(17‑3)与石英坩埚(17‑1)呈同轴布设，且石英筒(17‑3)的顶部高度不高于石英坩埚(17‑1)的顶部高度；所述石英筒(17‑3)底部沿圆周方向开有用于将石英坩埚(17‑1)内腔与石英筒(17‑3)内腔连通的多个通孔，多个所述通孔的结构和尺寸均相同且多个所述通孔呈均匀布设。
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