[实用新型]一种电容式MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 201120247782.0 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN202153165U | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 刘同庆;秦洪 | 申请（专利权）人： | 无锡芯感智半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用表面微机械加工工艺研制的电容式MEMS压力传感器，该压力传感器采用硅片作为基底，所述基底上进行离子注入掺杂作为电容下极板，基底掺杂区域上PECVD淀积一氮化硅层作为绝缘介质隔离层，所述对氮化硅层进行掩蔽刻蚀形成电容间隙及下电极引线孔；所述电容间隙内淀积磷硅玻璃作为牺牲层，平整化之后通过LPCVD淀积多晶硅作为电容上极板；所述电容上极板上通过多晶刻蚀形成牺牲层释放孔；所述采用溅射金属封闭牺牲层释放孔；所述电容上、下极板上还设有金属电极。该压力传感器采用了可以和集成电路工艺兼容的表面加工工艺，大大减小了传感器的尺寸，降低了成本，装置本身不仅性能稳定，受环境温度影响小，而且适于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 mems 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述装置采用硅片作为基底，所述基底上进行离子注入掺杂作为电容下极板，基底掺杂区域上PECVD淀积一氮化硅层作为绝缘介质隔离层，所述对氮化硅层进行掩蔽刻蚀形成电容间隙及下电极引线孔；所述电容间隙内淀积磷硅玻璃作为牺牲层，平整化之后通过LPCVD淀积多晶硅作为电容上极板；所述电容上极板上通过多晶刻蚀形成牺牲层释放孔；所述采用溅射金属封闭牺牲层释放孔；所述电容上、下极板上还设有金属电极。
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